推动节能创新的安森美半导体(NASDAQ: ON)推出了最新系列的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，扩大了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供了更高的开关性能、更低的功率损耗和容易的器件并联。 　　

　　On Mei Semiconductor发布的最新系列650 V SiC二极管提供6安培(A)至50安培的表面贴装和冲压封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向电压、与温度无关的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。 　　

　　工程师在设计各种应用的PFC和升压转换器时，经常面临以更小尺寸实现更高能效的挑战，例如太阳能光伏逆变器、电动汽车/混合电动汽车(EV/HEV)充电器、电信电源和数据中心电源。这些新型二极管可以为工程师解决这些挑战。 　　

　　这些650 V设备提供的系统优势包括更高的能效、更高的功率密度、更小的尺寸和更高的可靠性。其固有的低直流电压(VF)和SiC二极管的无反向恢复电荷可以降低功率损耗，从而提高能效。SiC二极管更快的恢复速度使得开关速度更高，因此可以减小磁性元件和其他无源元件的尺寸，实现更高的功率密度和更小的整体电路设计。此外，SiC二极管可以承受更高的浪涌电流，并在-55至175C的工作温度范围内提供稳定性. 　　

　　安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利端子结构，增强了可靠性、稳定性和耐用性。此外，二极管提供更高的雪崩能量、业界最高的非箝位电感开关(UIS)能力和最低的电流泄漏。 　　

　　安森半导体高级副总裁兼MOSFET业务部总经理Simon Keeton表示，“安森半导体全新的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件形成互补，为客户带来更广泛的产品。SiC技术利用了宽带隙(WBG)材料的独特特性，这比硅更便宜。其坚固的结构为恶劣环境中的应用提供了可靠的解决方案。我们的客户将受益于这些新的简化设备，它们具有更好的性能和更小的尺寸。” 　　

　　封装与定价 　　

　　650 V SiC二极管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封装，千片单价从1.30美元到14.39美元不等。 　　

　　要了解更多有关安森半导体的SiC产品组合如何实现更高的能效和可靠性的信息，请访问SiC产品的网页和博客《碳化硅二极管的最低功率损耗可实现最高功率密度》。 　　

　　欢迎来到美国APEC # 601展位，观看SiC MOSFET和二极管的现场演示，展示ON Semiconductor最新的仿真建模技术如何精确匹配真实器件工作。