关于电容的使用，下面是一些知识点。由于作者的能力和学识有限，文中难免有错误和不恰当的地方。请批评指正。
电容的作用包括：交流耦合、储能(电荷存储和放电)、为高频噪声提供低阻抗通道。
当高速SERDES用于AC耦合作用：设备之间的互连时，每个设备的SERDES的RX端对DC分量/输入共模电压有不同的要求。比如设备A的SERDES的工作电压是1.8V，而设备B的SERDES的工作电压是1.2V，当信号线直连时，RX端会低于判决门限/超过最大电平。为了避免这种情况，在RX端之前使用一个电容来隔离TX端发送信号的DC分量，即电容的交流耦合效应。
以下是一些场景中使用的耦合电容值：
交流耦合电容值
SGMII(已测试)
0.1uF
PCIe2.x及以下速率总线
0.1uF(协议要求75nF~200nF)
PCIe3.x及以上速率总线
0.22uF(协议要求176nF~265nF)
时钟(测试80米至500米)
0.1uF
28克SERDES(已测试)
0.1uF
10G SERDES(已测试)
0.1uF
交流耦合电容计算方法：
定义每位的数据周期为T，NUM为数据传输过程中0或1位的最大个数，负载阻抗为R(一般为50欧姆)，C为交流耦合电容的电容。有以下经验公式：
在给高频噪声提供低阻抗通道：高速电路中，芯片内部总是有一个状态转换。比如信号的状态在1和0之间不断切换，器件的电流方向在输入和输出之间不断切换。这种快速切换会在电路上产生大量的噪声干扰。在芯片的电源引脚周围，这些高频干扰需要释放到接地层，以防止它们影响电源的其他负载。这个功能称为去耦电容。
另一方面，在电源模块(开关电源模块)处，将电源产生的高频噪声和其他干扰提供给地平面低阻抗路径，以防止这些干扰通过电源传输路径影响高速工作的器件。这种功能称为旁路电容的作用。
根据以上描述，去耦电容和旁路电容在高频时的作用是为接地层提供低阻抗路径，防止电路中的干扰。
储能(储存和释放电荷)的功能下次再总结。
