2021年4月25日，赵一创新近日发布了2020年年报。从报告中可以看出，赵一创新主营业务的毛利率在降低，其海外地区主营业务的毛利率也在降低。
赵一创新表示，毛利率下降主要受DRAM产品业务毛利率较低影响。
万亿创新声称，其自有品牌DRAM产品预计将于2021年上半年推出，主要面向消费、工业控制和车辆监管等小众市场。那么赵一创新这次推出的DRAM产品能改变毛利率的下滑吗？
我不这么认为：
在内存芯片领域，如果赵一创新依靠NOR Flash来提高毛利率，效果有限。目前NAND Flash无法与大厂抗衡，只能寄希望于DRAM产品。
在DRAM产品方面，赵一创新目前是“代理商”,销售合富长信的DRAM。做芯片行业的“代理”，毛利率低。
根据公告，可以推测赵一创新今年无意制造自己的DRAM芯片。
如果今年不能推出自己设计的DRAM芯片，“代工”或者“买芯片换模块”的毛利率都不是很高，整体毛利率很难提升。
2020年第一季度，王鸿、华邦、赵一创新位列NOR Flash全球市场份额前三，市场份额分别为26.2%、24.5%、18.8%。
兆创新现有业务布局分为存储(Flash、DRAM)、MCU、传感器，其中存储芯片收入占比最高。NOR Flash是一种存储芯片。
数据来源于网络。
NOR Flash的优点：应用广泛，汽车电子、物联网、人工智能、路由器、机顶盒、手机、PC、VR、5G等。
NOR Flash的缺点：单价低，一个通常只有几块钱。一般来说，一个设备只使用一块NOR闪存。在低使用率和低单价的综合影响下，NOR Flash的市场价值明显小于NAND存储芯片，属于存储芯片行业的小众市场。
一款赵一创新8Mb NOR Flash单价3.07元。
以业界主流使用的8MB NOR Flash为例。它的价格只有3元左右。对于很多数码设备来说，这个价格占总成本的比例并不高。所以NOR Flash看似涉足很多行业，但在内存市场的份额却远低于DRAM和NAND Flash。
所以如果想靠NOR Flash来提高毛利率，效果非常有限。
万亿易创新NAND Flash产品主要是SLC NAND。NAND闪存产品方面，SLC NAND目前主流技术节点为19nm-38nm，赵一创新成熟技术节点为38nm。同时，24nm工艺节点的产品已经量产。目前量产的产品容量从1Gb到8Gb，覆盖主流容量区间。
美光SLC NAND
但是如果单个NAND的容量只有8Gb的话，是不够海量存储的。以美光的SLC NAND为例。美光提供的SLC NAND容量从1Gb到256Gb不等，明显比赵一创新大1Gb到8Gb。
除了海量存储，实际上还有一些NAND用于小型存储的场景。在这些情况下，赵一的创新NAND仍然可以发挥优势。但总的来说，NAND市场还是属于美光、海力士、三星这样的大厂的天下。
万亿易创新目前是DRAM业务的“代理”。赵一创新目前销售的DRAM来自合肥长信，赵一创新从2020年开始销售合肥长信的DRAM产品。
早在2020年3月，赵一创新就与长信存储及各自子公司签订了《框架采购协议》、《代工服务协议》、《产品联合开发平台合作协议》日交易框架协议。
《框架采购协议》是指赵一创新向合肥长信DRAM采购DRAM产品。《代工服务协议》是指合肥长信为赵一创新提供OEM服务。
万亿创新是一种无工厂模式。
式（Fabless）运营的芯片公司，无厂模式简单来说就是只管芯片设计，不管芯片制造的公司。因此兆易创新想要生产任何芯片都需要找晶圆厂代工。而此次签署的《代工服务协议》就是为了以后自研 DRAM 设计完成之后找合肥长鑫进行代工生产。而在之后的补充协议中又将这三大协议的有效期延展到了 2030 年，可以据此推测至少近几年内兆易创新如果想制造 DRAM 都会找长鑫代工了。
那么为什么说兆易创新自研的 DRAM 2021 年未必会出现呢？
▲出自兆易创新 2020 年 3 月的公告
公告中显示，在 2020 年预计接受代工服务涉及的金额为 0，也就是说 2020 年兆易创新并不打算让合肥长鑫代工生产芯片。在后续的投资者关系活动中的回答的内容也证明了这点。
在 2020 年 3 月的投资者关系活动记录表中我们可以找到原因。在其中一条回答中称“因为公司的 DRAM 产品还没有研发出来，所以代工业务 2020 年暂时无金额。”
在 2021 年 2 月，兆易创新发布了《关于拟签署框架采购协议及预计 2021 年度日常关联交易额度的公告》。
▲出自兆易创新 2021 年 2 月的公告
这个公告主要就是为了公示与长鑫日常关联交易的预计金额，可能有些人也注意到了，此次公示中原来的“三大协议”少了一个，而且少的就是之前金额为 0 的《代工服务协议》。
为什么会少一个《代工服务协议》的预算呢？如果说 2021 年这个协议的预算也为 0，那么没有这方面的预算确实可以理解。如果有这方面的预算，但是不公示，这种可能性就比较小了。
那么如果《代工服务协议》今年的预算真为 0，那么意味着什么呢？
兆易创新今年没打算让长鑫“代工”生产 DRAM 芯片。
这不免让疑惑，难道今年兆易创新自研的 DRAM 不生产了吗？而且上年实际从长鑫采购的 DRAM 产品金额为 0.54 亿美元，今年就直接预计 3 亿美元。兆易创新给出的理由为“市场需求旺盛，市场开拓空间进一步提升，公司备货水平相应提高”。不过今年如果能如期推出自己的 DRAM 产品，为什么还要去找长鑫加大备货量呢？卖自己的产品，毛利率还能高一点，不香吗？因此兆易创新自研 DRAM 2021 年未必会出现。
不过有些细心的人可能会发现，兆易创新基本没怎么提过“自研”的事。兆易创新无论是在年报上还是在投资者关系活动上，所用的表述都是“自有品牌”。“预计将于 2021 年上半年推出第一颗自有品牌的 DRAM 产品”。
“自有品牌”范围可就大了，除了“自研”以外，还可以买长鑫的芯片自己做模组，或者买长鑫的产品“贴牌”出售。
如果是买长鑫的芯片自己做模组，买芯片的交易额走的是“采购 Dram 产品”（就预算大幅上涨的那个），而且做出来的模组确实可以算“自有品牌的 DRAM 产品”。
补充资料：存储芯片
作为补充说明，我们来聊聊存储芯片是如何存储数据的。在远古时期，人们可以通过结绳记事的方式记录信息。而在现代，晶体管出现了，人们可以把大量数据存在芯片里了。
我们来假设一下，在结绳记事的时代，如果绳子的一个地方打一个结，就代表早上吃过饭了。如果这个地方没有结，那么就说明早上没吃饭。那么“早上吃没吃过饭”这个信息就通过简单的一个结记录了下来。
而到了现代，数据的基础很多是用“0”和“1”来构成的。那么如何记录下 0 和 1 呢？这时候我们肯定不能在芯片里像结绳记事那样打结，但有类似的方式记录，比如电压。电压高时可以记做 1，电压低时可以记做 0。
而对应芯片的存储单元也会被设计成能够存储高电压或者低电压信息的结构，就像结绳记事里的结。
▲一种存储单元
在如图所示的结构中，如果我们把电荷放在存储单元的存储电容器中，这就可以使晶体管导电，电荷传至位线，使电压上升。这时就是高电压状态，表示数据为“1”。
注：除了电压以外还可以通过：磁、电阻等介质来存储信息。
而根据存储的具体方式不同，存储芯片又能分成很多种类。NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 是三种不同的存储芯片，其中 NOR Flash、NAND Flash 属于非易失性存储芯片，DRAM 属于易失性存储芯片。
简单来说两者的区别在于断电之后能否保存数据。易失性存储断电之后不能保存数据，里面的数据只能临时存放。以电脑上的内存条为例，内存条上的存储颗粒就属于 DRAM。
▲DDR4 内存条 截取自金士顿官网
而非易失性存储的特点就是断电之后依旧能保存数据，里面的数据可以长期存储。以电脑上的固态硬盘为例，固态硬盘上的存储颗粒大多为 NAND Flash。
▲UV500 SATA 固态硬盘（mSATA）截取自金士顿官网
NAND Flash 可以再细分成 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我们平时说买一块 TLC 的固态，TLC 指的就是固态硬盘所用的 NAND Flash 类型为 TLC。
另一种非易失性存储是 NOR Flash ，NOR Flash 一次读写一个字或字节的数据，因此能够对各地址执行随机存取。而 NAND Flash 芯片的尺寸比 NOR Flash 小，能够实现更高的存储密度，使存储容量更大，且制造成本更低。因此 NAND Flash 已成为大容量存储设备的主流选择，除了前文提到的固态硬盘，还有 U 盘、SD 卡等。而 NOR Flash 则一般用于存储一些小数据，比如配置信息。电脑主板中的 BIOS 信息就会存储在 NOR Flash 中。
