在前言中，我们经常会听到两个术语：去耦电容和旁路电容。以前我太傻分不清他们。最近查阅资料后，决定分享一下。去耦和旁路是电容的两个功能。去耦电容实际上是利用电容作为局部电能存储。这时候你可以把电容想象成充电电池，充放电都需要时间。当电容器起去耦作用时，电容器可以防止电压的快速变化。如果输入电压突然下降，电容器将提供能量以保持电压稳定。同样，如果出现电压尖峰，电容会吸收多余的能量。 　　

　　旁路电容有什么用？我们往往希望信号输入只通过信号的DC分量，高频噪声被分流或吸收，使DC信号尽可能平滑。此时，电容器充当旁路电容器。 　　

　　去耦电容通常用于将电路从电源去耦。我们经常看到在51或STM32单片机的电源端放置几个uF、nF级的陶瓷电容。这是因为微处理器对电源相对稳定。如果输入电压出现尖峰，载入处理器的程序可能会跳过该指令，无法正常运行。此外，数字逻辑电路对电源电压也很敏感。所以一定要调整好，才能让它稳定运行。 　　

　　旁路 　　

　　因此，电路中增加了一个旁路电容，以平滑电源电压。由于电解电容的高频特性较差，如果你的电路高速信号较多，工作频率较高，就不要用电解电容。我们之所以用电解电容，主要是因为它的容量比较大，但是ESL和ESR都比较大。这时候我们可以通过并联多个陶瓷电容来解决容量大的问题。为获得最佳效果，去耦电容应尽可能靠近芯片。 　　

　　在去耦的数字电路中，电源可能“被来自逻辑电路或其他器件的噪声污染”。逻辑电路由数百万个逻辑门组成，这些逻辑门不断地在开和关之间改变它们的输出状态，这意味着许多晶体管在一秒钟内被打开和关闭无数次。特别是单片机内部有上拉或下拉晶体管电路，实现上拉或吸电流。如果负载很多，最终电流还是来自单片机的电源端口。如果负载变化很大，可能会导致VCC电压尖峰。对于每个开关，这些晶体管将产生一个所谓的瞬态负载。因此，器件吸收的电流会波动，产生噪声，并传播回电源。使用电容进行电源去耦时，电容有两个作用：一是保护电源免受电路中产生的电噪声影响，二是保护电路免受连接到同一电源的其它器件产生的电噪声影响。 　　

　　去耦 　　

　　考虑到电容器的寄生电感，电容器的容抗具有随频率变化的阻抗-频率曲线，由下式确定。然后，我们可以根据芯片的工作频率和干扰的频率来大致选择电容值。一般芯片手册里都会有建议值，你可以按照建议值放置。因为电容在起到去耦作用的同时，也起到了放电电容的作用，要考虑的因素很多，不能想当然。 　　

　　共振频率 　　

　　电容谐振曲线 　　

　　综上所述，旁路电容是为了防止电源的干扰影响IC工作，去耦电容是为了防止IC工作的干扰影响电源稳定性。从这个角度来看，旁路电容也充当去耦电容。 　　

　　学硬件的，关注我，我以后会不断更新文章，大家互相交流学习。如有疑问，欢迎评论或私信。