利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压和电流测量探头的位置，可以测量和评估IGBT并联续流二极管(FRD)的相关参数。
一、FRD工作风险评估
IGBT模块中的并行FRD是一个非常重要的组件，但它经常被忽略。工作中的风险主要体现在以下两个方面：
1.当IGBT短路或故障时，IGBT驱动可以帮助保护，但当FRD芯片损坏时，没有其他保护手段；
2.IGBT开启的时刻实际上是FRD关闭的时刻。所有的功率半导体，包括IGBT芯片和FRD芯片，在关闭时面临的风险要比开启时大得多。
二、FRD参数测量方法
在FR参数测量电路中，测试电路与双脉冲测试相同，具体探头连接和计算如下：
1.在上管IGBT的集电器上增加一个电流探头；
2.在上管IGBT的C-E极之间增加一个电压探针；
3.以检测到的电压和电流的瞬时值的乘积为函数，可以计算出二极管的瞬时功率；
4.只有当IGBT第二次打开时，FRD才会有反向恢复行为。用示波器捕捉波形时，要注意时间的选择。
第三，FRD绩效与外部参数的关系
当外部参数改变时，二极管的风险也会改变。这里，我们列举几个需要特别注意的参数：
1.变频器的栅极电阻。IGBT的栅极电阻直接影响FRD前端的di/dt。栅电阻越小，FRD的di/dt越大，FRD反向恢复过程越容易振荡，器件越容易损坏。
2.结温。由于FRD的导通电压VF具有负温度系数，结温越低，二极管的开关速度越快，其反向恢复电流的后沿越陡，电压尖峰越高。
3.总线电压水平。母线电压越高，FRD两端的压力就越大。
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