作者：杰基朗
有许多常见和简单的电压反接保护（Reverse Voltage Protect, RVP）电路，如在输入DC电源线上串联一个二极管或使用全桥整流电抗器的方案。地球上的每个人几乎都知道这些电路，但它们都有一个共同的缺点：由于二极管有一定的压降，不适合输入电压比较低的应用场合，而且电流很大时损耗也很大（发热）.
这里介绍一种高压RVP电路，简单、实用、巧妙(再多的赞美也无法表达对这种电路的敬佩，我们的膝盖已经给过了，适合对保护电路要求较高的场合。大部分电子工程师大概都不知道。下图所示的增强型NMOS RVP电路：
当输入电压极性正确时，NMOS的寄生二极管会先导通，使NMOS晶体管的栅源电压VGS约为输入电压(少一个二极管压降)，如下图所示：
此时二极管有一定的压降(损耗)，但VGS在开启NMOS管后会短路寄生二极管，电流会流过NMOS管通道，如下图所示：
目前NMOS晶体管的导通电阻可以达到毫欧级别，所以损耗会很低。
当电源极性反转时，寄生二极管由于反向偏置而关断。由于栅源电压VGS不满足条件，NMOS晶体管也被关断，电路系统将不工作，如下图所示：
上述电路仅适用于输入电压不高于NMOS管栅源电压(典型值不超过12V)的场合，否则可能损坏MOS管。这时候我们需要添加一些辅助电路，比如电阻分压电路，如下图所示：
当然，如果你担心输入电压波动太大(以至于分压过大)，钱包不够鼓，也可以加一个齐纳二极管，如下图所示：
这个功能也可以用PMOS管实现，如下图所示：
其分析原理与NMOS晶体管的RVP电路完全一致，其辅助电路在输入电压高于PMOS晶体管栅源电压时与PMOS晶体管相同，此处不再赘述。
当然，NMOS管的导通电阻RDS(ON)比PMOS管小(参考文章《游泳成绩决定命运：PMOS管打不过NMOS管的真正原因》)，在适当场合可以考虑。
