本文前面部分由VASPKIT的开发者Vei Wang撰写，后面部分由作者自己添加。 　　

　　

　　

一、VASP结合VASPKIT软件HSE06计算步骤：

　　

　　

　　 1.准备POSCAR，调用vaspkit-303(散装材料)或-302(二维材料)得到KPATH.in和PRIMCELL.in文件；对于二维系统，需要检查PRIMCELL.in文件的真空层是否沿Z方向。如果没有，可以调用vaspkit-923或vaspkit-407强制真空层沿Z方向。另外，如果需要改变识别结构的对称精度(symprec的默认值为1E-5)，可以通过vaspkit-task 302-symprech1e-6来实现。 　　

　　

　　2.2之后。cp PRIMCELL.vasp POSCAR，用VASP-PBE优化结构。KPATH.in带仅用于原始细胞。如果没有这一步，您可能会得到错误的结果。如有必要，将KPATH.in文件中的能带路径与在线能带路径生成工具SeeK-Path生成的能带路径进行比较，包括将PRIMCELL.vasp文件与HIGH_SYMMETRY_POINTS文件进行比较。需要指出的是，SeeK-Path仅用于生成体结构的能带路径。 　　

　　

　　 　　

　　

　　 　　

　　

　　3.cp CONTCAR POSCAR，与VASP HSE继续优化结构；严格来说，HSE的优化结构与PBE方法得到的结构是不同的，只是不同系统的差异程度不同(可选)。 　　

　　

　　4.调用vaspkit-251命令来生成用于能带计算的KPOINTS文件。KP points文件包含两部分：第一部分是不可约布里渊区非零权的K点，用于自洽计算得到正确的费米能量；第二部分是沿特定能带的k点，权重为零，用于能带计算； 　　

　　

　　5.用PBE计算一次，保存波函数。计算后记得用vaspkit-252命令检查能带是否合理。概念一定要明确。用这种方法也可以得到PBE能带，它相当于常规两步计算得到的能带。 　　

　　

　　6.修改INCAR的HSE计算参数，然后继续进行一次VASP计算； 　　

　　

　　7.用vaspkit-252提取混合密度泛函的能带数据。 　　

　　

　　

二、下面附上VASP官网HSE06计算教程：

　　

　　

　　Procedure 1: Standard procedure (suitable for DFT calculations) 　　

　　

　　仅在DFT中可能。在Fcc Si带结构示例：中描述 　　

　　

　　Standard self-consistent (SC) run 　　

　　

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