半导体激光器 　　

　　半导体激光器也称为半导体激光二极管，或简称为激光二极管(LD)。由于半导体材料本身材料结构的特殊性和半导体材料电子运动规律的特殊性，半导体激光器的工作特性有其特殊性。 　　

　　半导体激光器是一种以某种半导体材料为工作物质，产生受激发射的设备。其工作原理是通过一定的鼓励方式，在半导体物质的能带(导带和价带)之间，或者在半导体物质的能带和杂质(受主或施主)的能级之间，完成非平衡载流子的粒子数旋转。当大量处于粒子数旋转状态的电子与空穴复合时，产生受激发射。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入、光泵浦和高能电子束激励。电注入半导体激光器一般是由砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体结二极管。通过沿着正向偏置电压注入电流，在结平面区域中发生受激发射。光泵半导体激光器一般采用N型或P型半导体单晶(如GaAS、InAs、InSb等。)作为工作物质，而其他激光器宣布的激光器作为光泵鼓励。高能电子束激励半导体激光器一般也采用N型或P型半导体单晶(如PbS、CdS、ZhO等。)作为工作材料，通过从外部注入高能电子束来激励。在半导体激光材料中，双异质结构的电注入GaAs二极管激光器性能更好，应用更广。 　　

　　半导体激光器的波长覆盖范围从紫外到红外(300nm~到十几微米)，1.3微米和1.55微米是光纤传输的两个窗口。半导体激光器具有能量转换效率高、易于高速电流调制、超小型化、结构简单、寿命长等突出特点，是重要而有价值的激光器。 　　

　　半导体激光器是一种成熟较早，发展较快的激光器。由于其波长范围宽，制造简单，成本低，易于大批量生产，又由于其体积小，重量轻，寿命长，所以半导体激光器有300多种。半导体激光器主要应用类别为Gb LAN，850nm波长半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，波长1300nm-1550nm的半导体激光器适用于1gb局域网系统。半导体激光器的使用规模覆盖了整个光电领域，成为当今光电科学的核心技能。半导体激光器已广泛应用于激光测距、激光雷达、激光通信、激光仿制武器、激光警戒、激光制导与跟踪、点火与起爆、自动控制、探测仪器等领域，形成了广阔的市场。1978年，半导体激光器开始用于光纤通信系统。半导体激光器可用作光纤通信的光源和指示器，光电系统可采用大规模集成电路平面工艺形成。由于半导体激光器具有超小、高速和高速运行的优良特性，这类设备的发展从一开始就与光通信技术紧密结合在一起。它在光通信、光转换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存储、光计算机外部设备等方面有着重要的应用。半导体激光器的出现极大地促进了信息光电子技术的发展。至今是当时光通信领域的重要光源。半导体激光器和低损耗光纤一起，对光纤通信产生了巨大的影响，加速了它的发展。因此，双异质结激光器是光纤通信和大气通信的重要光源。现在，所有长距离、大容量的光信息传输系统都使用DFB-LD。半导体激光器也广泛应用于光盘技能。光盘技能是集计算技能、激光技能、数字通信技能于一体的综合技能。它是一种大容量、高密度、快速、有效、低成本的信息存储手段，需要半导体激光器产生的光束来读写信息。 　　

　　激励方法 　　

　　光泵激光器。指的是光泵浦鼓励的激光器，包括几乎所有的固态激光器和液态激光器，以及少数气体激光器和半导体激光器。电激励激光。大多数气体激光器是通过气体放电(DC放电、通讯放电、脉冲放电和电子束注入)来激励的，而普通半导体激光器是通过结电流注入来激励的，有些半导体激光器也可以通过高能电子束注入来激励。化学激光。这特指利用化学反应释放的能量来激励工作材料的激光。不期望的化学反应可以分别由光、放电和化学物质引发。核泵激光。是指一种特殊的激光器，如核泵He-Ar激光器，利用小型核裂变反应释放的能量来激励工作物质。 　　

　　 半导体激光器