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  什么是场效应晶体管?场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。有两种主要类型:结型场效应晶体管――JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称MOS-FET)。FET的基本参数是什么?   

  

  (1)场效应晶体管的基本参数   

  

  夹断电压UP,也称为截止栅电压UGS(OFF),是耗尽结FET或耗尽绝缘栅FET的源极接地时,使漏源输出电流降至零所需的栅源电压UGS。   

  

  开启电压UT,又称阀电压,是指当漏源电压UDS为某一值时,能使增强型绝缘栅FET的漏源开始导通的最小栅源电压UGS。   

  

  饱和漏电流IDSS是偏置电压为零(即栅源电压UGS为零)且漏源电压UDS大于夹断电压Up时耗尽型FET的漏电流。   

  

  击穿电压芽和缺陷   

  

     

  

  A.漏源击穿电压芽。又称漏源耐压,是FET的漏源电压UDS增大到一定值,使漏电流ID突然增大,不受栅极电压控制时的最大漏源电压。   

  

  B.栅源击穿电压缺陷。它是FET的栅极和源极之间的最大工作电压。   

  

  耗散功率PD也叫漏极耗散功率,大约等于漏极-源极电压UDS和漏极电流ID的乘积。   

  

  漏电流IGSS是FET的栅-沟道结加反向偏置电压时产生的反向电流。   

  

   DC输入电阻RGS也叫栅源绝缘电阻,是FET的栅-沟道在反向偏置电压作用下的电阻值,约等于栅-源电压UGS与栅电流之比。   

  

  漏源RDS的动态电阻是漏源电压UDS的变化量与漏电流ID的变化量之比,一般为几千欧姆以上。   

  

  低频跨导gm,也叫放大特性,是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力,类似于三极管的电流放大系数值。   

  

  电极间电容是FET两极间分布电容形成的杂散电容。栅电容(输入电容)CGS和栅漏电容cGD的电容为1~3pF,漏源电容CDS的电容为0.1~1pF。   

  

  场效应晶体管的主要参数   

  

  1.开启电压UT (MOSFET)   

  

  通常,在导电沟道刚刚形成之后对应于漏极的电流ID的栅源电压被称为导通电压,用UGS(th)或UT表示。   

  

  开启电压UT是MOS增强晶体管的一个参数。当栅源电压UGS小于导通电压的绝对值时,FET不能导通。   

  

  2.夹断电压上升(JFET)   

  

  当UDS为固定值(如10V),ID等于小电流(如50mA)时,施加在栅极和源极之间的电压为夹断电压。当UGS=UP时,漏极电流为零。   

  

  3.饱和漏极电流IDSS (JFET)   

  

  饱和漏极电流IDSS是在UGS=0的条件下FET被预先夹断时的漏极电流。IDSS FET可以输出的最大电流。   

  

  4.DC输入电阻RGS   

  

  当施加漏源短路和栅源电压时,DC电阻RGS是栅极和源极之间的DC电阻。   

  

  结型场效应晶体管:RGS 107MOS晶体管:RGS 109 ~ 1015   

  

  5.跨导Gm   

  

  漏极电流的微小变化与栅源电压的微小变化之比,即gm=ID/UGS。是衡量FET栅源电压对漏电流控制能力的参数。Gm相当于三极管的hFE。   

  

  6.最大消耗功率   

  

  最大漏极功耗PD=UDSID,相当于三极管的PCM。以上激素场效应晶体管常见参数的分析,希望对你有所帮助。   

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