电力晶体管GTR，晶闸管SCR，门极可关断晶闸管GTO，控制晶闸管MCT ，静电感应晶体管SIT，静电感应晶闸管SITH，集成门极换流晶闸管IGCT，快恢复二极管FRD，肖特基势垒二极管SBD 　　

　　 电力晶体管 　　

　　巨型晶体管(巨型晶体管――GTR，巨型晶体管) 　　

　　双极结晶体管――耐高压大电流的BJT 　　

　　从20世纪80年代开始，在中小功率范围内晶闸管被替代，但现在多被IGBT和功率MOSFET替代。 　　

　　 MOS控制晶闸管MCT 　　

　　MCT结合了两者的优点： 　　

　　承受极高的di/dt和du/dt，快速开关过程和低开关损耗。 　　

　　高电压、高电流、高电流密度和低开关压降。 　　

　　一个MCT装置由成千上万个MCT元素组成。 　　

　　每个元件由一个PNPN晶闸管、一个控制晶闸管导通的MOSFET和一个控制晶闸管关断的MOSFET组成。 　　

　　其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量与期望值相差甚远，无法投入实际应用。 　　

　　 静电感应晶体管SIT 　　

　　多导电器件的工作频率等于甚至高于功率MOSFET，功率容量更大，适用于高频大功率场合。 　　

　　广泛应用于雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热。 　　

　　缺点： 　　

　　不加信号时门极导通，加负偏压时门极关断，所以称为正常导通器件，使用不方便。 　　

　　由于其导通电阻大，导通损耗大，在大多数电力电子器件中没有得到广泛应用。 　　

　　 静电感应晶闸管SITH 　　

　　SITH是一种具有两种载流子传导的双极器件，具有电导调制效应、较低的通态电压和较强的电流能力。 　　

　　其特性与GTO相似，但开关速度远高于GTO，是一种大容量快速器件。 　　

　　西斯也是常开常关的。此外，电流关断增益较小，因此需要扩大其应用范围。 　　

　　 集成门极换流晶闸管IGCT 　　

　　它出现在20世纪90年代末，结合了IGBT和GTO的优点。其容量相当于GTO的，切换速度快10倍。 　　

　　GTO复杂的缓冲电路可以省略，但驱动功率还是很高的。 　　

　　目前，它正与IGBT和其他新器件激烈竞争，试图最终在大功率场合取代g to。 　　

　　SCR SCR SCR是SCR的缩写。可控硅有几种类型，如单向、双向、关断和光控。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，广泛应用于可控整流、调压、逆变、无触点开关等自动控制和大功率电能转换的各种场合。 　　

　　一、单向可控硅 　　

　　单向可控硅是一种可控整流电子元件，可以从外部控制可控硅电子元件。 　　

　　在#的作用下，它从关断变为导通，但一旦导通，外部信号无法将其关断，因此只能通过移除负载或降低其两端的电压来关断。单向晶闸管是由三个PN结组成的四层三端半导体器件。与只有一个PN结的二极管相比，单向晶闸管的正向导通由控制极的电流控制。与双PN结三极管相比，区别在于晶闸管对控制极电流没有放大作用。 　　

　　二、双向晶闸管 　　

　　双向晶闸管具有双向轮流开通和关断的特性。双向晶闸管本质上是两个反向并联的单向晶闸管，是由NPNPN五层半导体构成的三电极四PN结的半导体器件。因为主电极的结构是对称的(都是从N层引出的)，所以它的电极不像单向可控硅那样分别称为阳极和阴极，而靠近控制电极的称为第一电极A1，另一个称为第二电极A2。双向晶闸管的主要缺点是承受电压上升率的能力低。这是因为双向晶闸管单向导通时，各层硅片的载流子还没有回到截止位置，必须采取相应的保护措施。双向晶闸管主要用于交流控制电路，如温度控制、照明控制、防爆交流开关和DC电机调速及换向电路。