IGBT的中文名称是绝缘栅双极晶体管，由一个MOS晶体管(绝缘栅场效应晶体管)和一个达林顿晶体管(两个双极晶体管)组成。它是全控压驱动的半导体器件，具有输入阻抗高、正向耐压高、电流大、开关频率高(一般为20KHz)、饱和电压低的优点。N型IGBT是最常用的电路，我们就以N型为例来介绍一下。
IGBT的驱动电压一般为15V，阈值电压一般为5 ~ 7V(不同)。C-E的电流由Uge控制。由于G极在绝缘栅上方，用万用表(二极管)测得G-E和G-C(不分正负极)处于高阻状态。C-E只有在Uge达到阈值电压时才会。测量IGBT的通断，可以用指针式万用表R10K档(黑色表笔为，红色表笔为-)。将黑色探针放在G极，红色探针放在E极。此时，充电Cge产生的电场是存在的。此时将两个探针放在C、E极上显示接通，用导体短接GE对Cge放电。这时C和E的电阻值都是无穷大。这证明IGBT可以被打开和关闭，否则它就被损坏了。
